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實用(yòng)筆記 | 動態電壓和(hé)頻率調節如何影(yǐng)響功耗

本文要點

降低 CPU 或 GPU 功耗的(de)技術有許多(duō),這些技術聚焦軟體/韌體層面、系統層面和(hé)電晶體架構層面

其中兩種降低功耗的(de)技術為:動態電壓和(hé)頻率調節,即調整電源電平、信號電平和(hé)時鐘頻率以回應功耗需求

作為低功耗 VLSI (VLSI,超大(dà)型積體電路) 的(de)一部分(fēn),動態電壓和(hé)頻率調節技術必須在硬體層面上實現

高(gāo)速處理(lǐ)器使用(yòng)動態電壓和(hé)頻率調節來調整功耗

當今的(de) CPU 能夠處理(lǐ)的(de)資料量比以往任何時候都要多(duō),這要歸功於摩爾定律的(de)擴展和(hé)對更高(gāo)級應用(yòng)的(de)需求不斷增長。 2000 年 Intel 預測,如果按照(zhào)線性推斷,CPU 擴展將最終增加總功耗,直到超過太陽的(de)總輸出功率。當時,降低 CPU 功耗的(de)方法和(hé)低功耗架構成為 CPU 設計工程師和(hé)製造商的(de)主要關注點,這種趨勢一直持續至今。

低功耗 CPU、GPU、FPGA 和(hé) MCU 設計方法主要集中在三個方面:

低功耗架構:
電晶體結構經過重新設計,透過擴展實現了(le)微型化(huà),因此可(kě)以在更低的(de)電壓下(xià)運行,並且功耗更低。

軟體和(hé)韌體:
軟體和(hé)韌體中的(de)核心演算(suàn)法經過優化(huà),以減少完成給定任務所需的(de)指令數量,從而減少每項任務的(de)總功耗。

節流和(hé)睡(shuì)眠模式:
處理(lǐ)器內核可(kě)以進入「睡(shuì)眠模式」,該模式可(kě)以有效關閉處理(lǐ)器,直到處理(lǐ)器在某個輸入端收到某種喚醒信號為止。

其中,對於開始分(fēn)析元件資料表的(de)系統設計工程師來說,最後一個方面可(kě)能最為突出。動態電壓和(hé)頻率調節是主要的(de)用(yòng)於限制時鐘頻率和(hé)控制複雜處理(lǐ)器功耗的(de)方法,本文將詳細介紹這二者是如何影(yǐng)響設計的(de)。

動態電壓和(hé)頻率調節的(de)工作原理(lǐ)

當下(xià)的(de)現代數位元件由基於 MOSFET 的(de)電路構成,這些電路主要採用(yòng) CMOS 工藝生產;儘管在市售元件中仍然可(kě)以找到 TTL、ECL、NMOS 和(hé) BiCMOS 邏輯系列。所有基於 MOSFET 的(de)數位邏輯電路都使用(yòng)電壓電平來表示邏輯狀態,而邏輯電平必須位於某個數值範圍內,以表示二進位邏輯中的(de) 1 或 0。該電壓的(de)大(dà)小取決於數位元件的(de)電源電平。

在處理(lǐ)器中,我們有多(duō)個區塊來執行與處理(lǐ)和(hé)傳輸數位資料有關的(de)不同功能。其中包括:

CPU 區塊圖

緩存 (Cache):
所有 CPU 都具有一些闆載的(de)高(gāo)速記憶體,用(yòng)於存儲和(hé)檢索程式設計指令。

控制單元 (Control unit):
控制單元從輸入端獲取數位資料,從記憶體獲取程式指令,並將這些指令傳輸給 CPU 的(de)其他(tā)區塊。同樣,控制單元也(yě)從其他(tā)區塊獲取資料並將其發送到輸出端和(hé)外設。

算(suàn)數邏輯單位 (ALU):
CPU 的(de)這一部分(fēn)負責執行簡單的(de)算(suàn)數運算(suàn)。在數位算(suàn)術中,所有複雜的(de)數學運算(suàn)都被分(fēn)解成可(kě)以在 ALU 中實現的(de)簡單算(suàn)數運算(suàn)。

最後是內核,用(yòng)於接收並執行控制單元提供的(de)指令。現代 CPU 可(kě)能有多(duō)個內核 (以 2 的(de)冪次方為單位) ,以此實現應用(yòng)並行化(huà)。每個內核使用(yòng)控制單元提供的(de)輸入資料和(hé)邏輯指令來執行特定的(de)資料操作。在內核和(hé)各個邏輯單元內,可(kě)以應用(yòng)動態電壓和(hé)頻率調節來降低總功耗。

邏輯單元中電晶體的(de)電壓電平

電晶體在工作時會在高(gāo)電壓電平和(hé)低電壓電平之間切換。儘管我們喜歡把電晶體看作是理(lǐ)想的(de)元件,但它們會有我們不希望出現的(de)寄生效應,這決定了(le)它們在工作中的(de)切換方式。下(xià)圖顯示的(de)是一個包含寄生效應的(de) MOSFET 等效電路圖。

輸入元件之間帶有寄生電容的(de)等效 MOSFET 模型

在這個例子中,我們有一個涉及三個電容與一個整流半導體元件並聯的(de)三角電路。每個節點上的(de)電容完全是預料之外的(de),是由於現代 MOSFET 的(de)緊湊性質而產生的(de)。這些寄生電容值源自積體電路中的(de)導線結構,即耦合電容。請注意,我們沒有包括引線上的(de)電感,因為它在小型電晶體中可(kě)以忽略不計。

當切換邏輯電路中的(de) MOSFET 時,電容電荷就會流入上述電路,對這些電容進行充電/放電。然後,總的(de)等效電容決定了(le) MOSFET 切換狀態所需的(de)時間 (即,就像在 RC 電路中一樣) 。切換過程中的(de)功耗是:

切換 MOSFET 所需的(de)功耗

從這個公式中,我們可(kě)以看到,電晶體可(kě)以在較低的(de)電壓下(xià)運行,以減少功耗。矽片上的(de)電容是非線性的(de),電容大(dà)緻與電源電壓成反比。在較低電壓下(xià)運行,切換時間也(yě)隨之增加,然後切換信號的(de)功率頻譜就轉移到了(le)較低的(de)頻率。

時鐘頻率

CPU 內核包含一個時鐘,它以高(gāo)度穩定的(de)參考振盪器 (如晶體) 產生的(de)某個頻率的(de)特定倍數運行。相環鎖定迴路 (PLL) 用(yòng)於根據這個參考時鐘產生一個或多(duō)個更快(kuài)或更慢(màn)的(de)時鐘。透過降低時鐘速度,電晶體的(de)切換速度變慢(màn),這也(yě)降低了(le) CPU 的(de)功耗。如果內核電壓不變,那麼每個時鐘週期的(de)功耗是不變的(de),但在給定的(de)時間間隔內的(de)總功耗較低。

優化(huà)設計軟體中的(de)操作模式

可(kě)以使用(yòng)IC設計軟體中的(de)一套標準設計庫,在低功耗 VLSI 中實現動態電壓和(hé)頻率調節。雖然達到設計收斂所需的(de)時間較長,而且產品變得(de)更加複雜,但這種投資物(wù)有所值,因為這可(kě)以降低功耗。想要在產品中實現動態電壓和(hé)頻率調節的(de)設計工程師需要考慮所需的(de)操作模式,並確定在操作過程中關閉哪些核心功能。

利用(yòng)業界一流的(de) VLSI 設計軟體、系統分(fēn)析工具和(hé)電路模擬器,可(kě)以最大(dà)限度地降低整個系統的(de)功耗,而不僅僅是 CPU 內核的(de)功耗。如果您需要在實現動態電壓和(hé)頻率調節的(de)同時完成積體電路的(de)設計、模擬和(hé)佈局,Cadence 的(de)系統分(fēn)析工具可(kě)以提供全面的(de)電路、IC 和(hé) PCB 設計工具套件,幫助您輕鬆駕馭任何應用(yòng)和(hé)複雜程度。

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