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產業觀察 | 全面解讀系統級封裝(SiP)

原文:「超越摩爾之路——SiP簡介」,作者:毛忠宇;「System in Package」,作者:Paul McLellan;節選、編輯:Cadence / 江亮

SiP 是組裝在同一個封裝中的(de)兩個或多(duō)個不同的(de)晶片。這些晶片可(kě)能大(dà)不相同,包括微機電系統(MEMS)、感測器、天線和(hé)無源元件,以及更顯眼的(de)數位晶片、類比晶片和(hé)記憶體晶片。唯一例外的(de)是將單個晶片放入封裝中——但即使一個封裝裡面隻有一顆系統單晶片(SoC)也(yě)不能稱作 SiP。這也(yě)許有點矛盾,但符合一句格言,「系統級總是最高(gāo)級」。

1. SiP —— 超越摩爾定律的(de)必然選擇路徑

摩爾定律確保了(le)晶片性能的(de)不斷提升。眾所周知,摩爾定律是半導體行業發展的(de)「聖經」。在矽基半導體上,每 18 個月(yuè)實現電晶體的(de)特徵尺寸縮小一半,性能提升一倍。在性能提升的(de)同時,帶來成本的(de)下(xià)降,這使得(de)半導體廠商有足夠的(de)動力去實現半導體特徵尺寸的(de)縮小。這其中,處理(lǐ)器晶片和(hé)存儲晶片是最遵從摩爾定律的(de)兩類晶片。以 Intel 為例,每一代的(de)產品完美(měi)地遵循摩爾定律。在晶片層面上,摩爾定律促進了(le)性能的(de)不斷往前推進。

SiP 是解決系統桎梏的(de)勝負手。把多(duō)個半導體晶片和(hé)無源器件封裝在同一個晶片內,組成一個系統級的(de)晶片,而不再用(yòng) PCB 闆來作為承載晶片連接之間的(de)載體,可(kě)以解決因為PCB自身的(de)先天不足帶來系統性能遇到瓶頸的(de)問題。以處理(lǐ)器和(hé)存儲晶片舉例,因為系統級封裝內部走線的(de)密度可(kě)以遠高(gāo)於 PCB 走線密度,從而解決 PCB 線寬頻來的(de)系統瓶頸。舉例而言,因為記憶體晶片和(hé)處理(lǐ)器晶片可(kě)以透過穿孔的(de)方式連接在一起,不再受 PCB 線寬的(de)限制,從而可(kě)以實現資料頻寬在介面頻寬上的(de)提升。

SiP 有多(duō)種形式,包括從高(gāo)端的(de)帶矽通(tōng)孔(TSV)的(de)矽 interposer 和(hé)晶片到低端帶引線鍵合晶片的(de) BGA(就像老一代 iPhone 中的(de)Ax晶片)。過去,SiP 受到一個悖論的(de)限制:如果 SiP 更便宜,便會有更多(duō)人(rén)使用(yòng)它們,但是如果沒有大(dà)量的(de)量產應用(yòng),成本仍然很高(gāo)。但是移動電子消費品的(de)市場如此之大(dà),動輒上億,這在一夕之間改變了(le)這種兩難境地。

另一個驅動 SiP 發展的(de)因素是物(wù)聯網(IoT)。幾乎任何物(wù)聯網設備都包含感測器、計算(suàn)器件、通(tōng)信設備(通(tōng)常是無線的(de)),以及記憶體。這些不可(kě)能利用(yòng)同一製程製造,也(yě)就無法在同一個晶片上製造,所以在 SiP 級別進行整合更為可(kě)行。物(wù)聯網的(de)兩大(dà)驅動因素是感測器成本的(de)降低,以及多(duō)晶片封裝和(hé)模組的(de)低成本。市場容量受到 SiP 成本的(de)影(yǐng)響,而 SiP 成本又會影(yǐng)響到市場容量,兩者相輔相成。

2. SiP —— 為應用(yòng)而生

2.1. 主要應用(yòng)領域

SiP 的(de)應用(yòng)非常廣泛,主要包括:無線通(tōng)訊、汽車電子、醫療電子、電腦、軍用(yòng)電子等。

德州儀器公司

德州儀器公司的(de) MicroSiP 是一個電源設備。尺寸僅為 2.9mm x 2.3mm x 1mm,其中包括安裝在頂部的(de)電感,以減少電路闆空間。

Microsemi 公司

Microsemi 已將晶片嵌入到基闆中,與之前的(de)版本相比,面積減少了(le) 400%。它具有很高(gāo)的(de)可(kě)靠性,符合植入式元件的(de) MIL 標準。這種方法也(yě)適用(yòng)于其他(tā)需要高(gāo)可(kě)靠性的(de)環境,如航空航太、汽車和(hé)工業傳感領域。在此舉一個改進示例——超薄嵌入式晶片,其疊層厚度為 0.5mm,模組總高(gāo)度約為 1mm(這是分(fēn)立元件的(de)極限)。

Apple 公司

根據 Chipworks 的(de) x 光(guāng)分(fēn)析表明(míng),蘋果手錶的(de) S1「晶片」實際上是一個 SiP,其中包含大(dà)約 30 個積體電路、許多(duō)無源元件,除封裝本身之外,還有一個 ST 加速度計 / 陀螺儀。

AMD 公司

AMD 的(de)圖形處理(lǐ)器用(yòng)作矽仲介層和(hé)矽通(tōng)孔。它在 1.011mm2 的(de)仲介層中心安裝了(le)一個 595mm2 的(de)專用(yòng)積體電路(ASIC),這個ASIC 周圍有四個高(gāo)頻寬記憶體(HBM)疊層(每個疊層由一個邏輯晶片和(hé)四個堆疊在頂部的(de)動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片組成)。互連超過 200,000 個,包括銅柱凸塊和(hé) C4 凸塊。仲介層有 65,000 個直徑為 10um 的(de)矽通(tōng)孔。

索尼公司

CMOS 圖像感測器(CIS)的(de)最先進技術不是像過去那樣將圖像感測器的(de)正面暴露在光(guāng)線下(xià),而是將圖像感測器變薄,使其對光(guāng)線透明(míng),然後將其翻轉到下(xià)方的(de)圖像感測器處理(lǐ)器(ISP)晶片上,因此不再需要任何 TSV。感測器接收到的(de)光(guāng)穿過變薄的(de)晶片背面。

索尼已在三層堆疊結構上更進一步。頂部是圖像感測器,中間是 DRAM 層,底部是 ISP(圖像信號處理(lǐ)器)。來自圖像感測器的(de)信號實際上直接通(tōng)過 DRAM 層到達處理(lǐ)器,然後返回記憶體。這是第一個使用(yòng)晶圓接合的(de)商業化(huà)三層堆疊結構。實際上,它用(yòng)在了(le)一款高(gāo)階手機上,即索尼 Experia XZ,這款手機於 2017 年 2 月(yuè)在 MWC(世界移動通(tōng)信大(dà)會)大(dà)會上推出。圖像感測器和(hé)(DRAM)的(de)厚度減薄到了(le) 2.6um!幾十年前,這是電晶體的(de)大(dà)小。

索尼不僅是圖像感測器領域的(de)領先者,在包括蘋果手機在內的(de)大(dà)多(duō)數高(gāo)端手機領域也(yě)是如此。索尼在 2017 年推出的(de)這款手機能達到 960fps,已經相當令人(rén)驚豔了(le)。

諾基亞公司

諾基亞 SiP 適用(yòng)于企業路由器,因此不屬於像移動設備這樣對成本非常敏感的(de)市場。它的(de)處理(lǐ)速度可(kě)達 100TB/s 甚至更高(gāo)。含有 22 個晶片,其中包括定制記憶體。整個路由器的(de)尺寸與遊戲機相當,卻可(kě)以同時處理(lǐ)令人(rén)難以置信的(de)視頻流(Netflix、YouTube等)。

2.2. SiP —— 為智能手機量身定制

SiP 在無線通(tōng)訊領域的(de)應用(yòng)最早,也(yě)是應用(yòng)最為廣泛的(de)領域。在無線通(tōng)訊領域,對於功能傳輸效率、雜訊、體積、重量以及成本等多(duō)方面要求越來越高(gāo),迫使無線通(tōng)訊向低成本、可(kě)?式、多(duō)功能和(hé)高(gāo)性能等方向發展。SiP 是理(lǐ)想的(de)解決方案,綜合了(le)現有的(de)芯核資源和(hé)半導體生產工藝的(de)優勢,降低成本,縮短上市時間,同時克服了(le) SOC 中諸如工藝相容、信號混合、雜訊幹擾、電磁幹擾等難度。手機中的(de)射頻功放,集成了(le)頻功放、功率控制及收發轉換開關等功能,完整的(de)在 SiP 中得(de)到了(le)解決。

手機輕薄化(huà)帶來 SiP 需求增長。手機是 SiP 封裝最大(dà)的(de)市場。隨著智慧手機越做(zuò)越輕薄,對於 SiP 的(de)需求自然水(shuǐ)漲船高(gāo)。從 2011-2015 年,各個品牌的(de)手機厚度都在不斷縮減。輕薄化(huà)對組裝部件的(de)厚度自然有越來越高(gāo)的(de)要求。以 iphone 6s 為例,已大(dà)幅縮減 PCB 的(de)使用(yòng)量,很多(duō)晶片元件都會做(zuò)到 SiP 模組裡,而到了(le) iPhone 8,有可(kě)能是蘋果第一款全機採用(yòng) SiP 的(de)手機。這意味著,iPhone8 一方面可(kě)以做(zuò)得(de)更加輕薄,另一方面會有更多(duō)的(de)空間容納其他(tā)功能模組,比如說更強大(dà)的(de)攝像頭、揚聲器,以及電池。

蘋果手錶應用(yòng)的(de)技術最為先進。在尺寸 26mm x 28mm 的(de)封裝中含有許多(duō)器件。手錶對尺寸的(de)嚴格約束意味著不使用(yòng) SiP 技術就不可(kě)能構建整個系統。下(xià)圖是蘋果手錶的(de)電路闆,可(kě)以更清晰的(de)瞭解該級別的(de)設計:

觸控晶片。在 Iphone 6 中,觸控晶片有兩顆,分(fēn)別由 Broadcom 和(hé) TI 提供,而在 6S 中,將這兩顆封在了(le)同一個 package 內,實現了(le) SiP 的(de)封裝。而未來會進一步將 TDDI 整個都封裝在一起。iPhone 6s 中展示了(le)新一代的(de) 3D Touch 技術。觸控感應檢測可(kě)以穿透絕緣材料外殼,通(tōng)過檢測人(rén)體手指帶來的(de)電壓變化(huà),判斷出人(rén)體手指的(de)觸摸動作,從而實現不同的(de)功能。而觸控晶片就是要採集接觸點的(de)電壓值,將這些電極電壓信號經過處理(lǐ)轉換成座標信號,並根據座標信號控制手機做(zuò)出相應功能的(de)反應,從而實現其控制功能。3D Touch 的(de)出現,對觸控模組的(de)處理(lǐ)能力和(hé)性能提出了(le)更高(gāo)的(de)要求,其複雜結構要求觸控晶片採用(yòng) SiP 組裝,觸覺回饋功能加強其操作友好性。

指紋識別同樣採用(yòng)了(le) SiP 封裝。將感測器和(hé)控制晶片封裝在一起,從 iPhone 5 開始,就採取了(le)相類似的(de)技術。

3. 快(kuài)速增長的(de) SiP 市場

3.1. 市場規模 & 滲透率迅速提升

2013-2016 年 SiP 市場複合年均增長率為 15%。2016 年全球 SiP 產值約為 64.94 億美(měi)元,較 2015 年成長 17.4% 左右;在智慧型手機出貨量持續高(gāo)位,以及 Apple Watch 等穿戴式產品問世下(xià),全球 SiP 產值估計將繼續增長。

以 2016-2018 年為週期,我們來計算(suàn) SiP 在智慧手機市場三年內的(de)市場規模。假設 SiP 的(de)單價每年降價 10%,智能手機出貨量年增 3%。可(kě)以看到,SiP 在智慧手機中的(de)新增市場規模的(de)複合年均增長率為 192%,非常可(kě)觀。

3.2. 從製造到封測——逐漸融合的(de) SiP 產業鏈

從產業鏈的(de)變革、產業格局的(de)變化(huà)來看,今後電子產業鏈將不再隻是傳統的(de)垂直式鏈條:終端設備廠商——IC 設計公司——封測廠商、Foundry 廠、IP 設計公司,產品的(de)設計將同時調動封裝廠商、基闆廠商、材料廠、IC 設計公司、系統廠商、Foundry 廠、器件廠商(如 TDK、村(cūn)田)、存儲大(dà)廠(如三星)等彼此交叉協作,共同實現產業升級。未來系統將帶動封裝業進一步發展,反之高(gāo)端封裝也(yě)將推動系統終端繁榮。未來系統廠商與封裝廠的(de)直接對接將會越來越多(duō),而 IC 設計公司則將可(kě)能向 IP 設計或者直接出售晶圓兩個方向去發展。

由於封測廠幾乎難以向上遊跨足晶圓代工領域,而晶圓代工廠卻能基於制程技術優勢跨足下(xià)遊封測代工,尤其是在高(gāo)階 SiP 領域方面;因此,晶圓代工廠跨入 SiP 封裝業務,將與封測廠從單純上下(xià)遊合作關係,轉向微妙的(de)競合關係。

封測廠一方面可(kě)朝差異化(huà)發展以區隔市場,另一方面也(yě)可(kě)選擇與晶圓代工廠進行技術合作,或是以技術授權等方式,搭配封測廠龐大(dà)的(de)產能基礎進行接單量產,共同擴大(dà)市場。此外,晶圓代工廠所發展的(de)高(gāo)階異質封裝,其部份制程步驟仍須專業封測廠以現有技術協助完成,因此雙方仍有合作立基點。

4. 總結

SiP 促成了(le)許多(duō)產品的(de)實現,尤其是:

手機、平闆、筆記本

固態硬碟(SSD)

物(wù)聯網(IoT)設備

汽車安全系統,包括雷達

醫用(yòng)可(kě)穿戴設備

高(gāo)性能運算(suàn)(HPC)系統

其中,主要的(de)驅動因素便是性能和(hé)外形。但對低成本解決方案的(de)需求推動了(le)新封裝設計的(de)採用(yòng),這些因素缺一不可(kě)。此外,經濟和(hé)商業決策也(yě)是一個很大(dà)的(de)驅動因素,有時還有技術性能方面的(de)考慮(例如 70GHz 雷達)。

隨著摩爾定律這一趨勢減緩,而最先進的(de)工藝不再適用(yòng)於許多(duō)模擬或射頻設計,SiP 會成為首選的(de)集成方法之一,集成是「超越摩爾定律」的(de)一個關鍵方面,而 SiP 將在不單純依賴半導體工藝的(de)面積縮放的(de)情況下(xià),實現更高(gāo)的(de)集成度。

SiP 代表了(le)行業的(de)發展方向:晶片發展從一味追求功耗下(xià)降及性能提升(摩爾定律),轉向更加務實的(de)滿足市場的(de)需求(超越摩爾定律),SiP 是實現的(de)重要路徑。SiP 從終端電子產品角度出發,不再一味關注晶片本身的(de)性能 / 功耗,而去實現整個終端電子產品的(de)輕薄短小、多(duō)功能、低功耗等特性;在行動裝置與穿戴裝置等輕巧型產品興起後,SiP 的(de)重要性日益顯現。

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